业务咨询:0755-26644266
135-3045-2599
光通量 W:90-105lm,A:40-50(lm)
正向电压 3.0-3.6(V)
反向电压 5(V)
静电击穿电压(ESD) 2000(V)
额定电流 350m(A)
芯片尺寸 芯片间间距0.1mm,发光点紧凑(mil)
支架材质 垂直结构芯片共晶封装