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正向电压 6.2（V） 反向电压 6.4（V）
静电击穿电压（ESD） 4000（V）
额定电流 350M（A）
芯片尺寸 24*35（mil）
色容差 5（SDCM） 热阻 ≤10（°/W）
最大允许结温 110（°）
1000小时常规老化 20（%）
6000小时常规老化 50（%）
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